
SEMI M54 - 半絶縁性(SI)GaAs材料のパラメータのガイド -
Abstract
本基準は、global Compound Semiconductor Committee で技術的に承認されている。現版は2011年5月13日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 およびwww.semi.orgで入手可能となる。初版は2003年3月発行。前版は2004年3月発行。
注意: この文書は、編集上の修正を考慮して再承認されました。
高性能なデジタルおよびアナログのマイクロ電子デバイスや回路を製作するには高い電気抵抗率と電子ドリフト移動度の基板が必要である。そのような用途に先立って基板として世界中で認められてきました。
これらの層の品質およびそれによるデバイスの性能,歩留まり,信頼性は,基板のバルク品質および表面品質に強く依存している。
本書では、サプライヤと購入者の暫定発注に関する解決をサポートするためにSI GaAsの材料パラメータを指定するための基礎を提供する。
参照されるSEMI規格
SEMI M9 — 研磨単結晶ガリウムヒ素スライスの仕様
SEMI M10 — ガリウムヒ素に見られる構造と特徴を識別するための標準命名法
SEMI M15 — 研磨ガリウムヒ素の研磨ウェーハ欠陥限界表
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M05400 - SEMI M54 - 半絶縁性(SI)GaAs材料のパラメータのガイド
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