SEMI M53 - パターンのない半導体ウェーハ表面に証明済み手法で蓄積した単分散標準粒子を用いた走査型表面検査システム比較正の作業方法 -

Abstract

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本基準は、Silicon Wafer Global Technical Committeeで技術的に承認されている。現版は2010年1月20日、global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。 orgで入手可能となる。初版は2003年3月発行、前版は2009年11月に発行された。

　

この作業方法では，パターンのない鏡面，エピタキシャル，薄膜生成された半導体表面に付着されたPSL（ポリスチレンラテックス）粒子のサイズを走査型表面検査システム（以下SSIS ）が正確に決定できるように，SSISの暗視検出器チャンネルの検討について正しく。

本カタログの正の目的は、製造者およびモデルの異なるSSISが特定の局所光散乱体（LLS）に同じ光散乱強度の等価光散乱(LSE)直径を優先すること、保証することである。

この作業方法は，材質同定，真の寸法，形態が未知の表面欠陥を報告する手段として，SEMI M59に規定されたように，LSE直径の使用を定義する。

この作業方法では，SSIS のパフォーマンスを定量化するための基礎を提供する。 。

この作業方法では、次の事項を考えます。

標準粒子が付着されるか正基準半導体ウェーハの表面およびその他の特性に対する要求条件(¶ 8.1参照)。

標準粒子付着に適した粒子のサイズ分布要求条件も含めて、SSIS を校正するための標準粒子の適切で証明済み付着の選択。

応答曲線の変動があるが故に単調ではない，モデルで予測した散乱乱データを使用した比較正曲線の生成。

モデルで予測した散乱乱データを使用した単調な予測の生成。

これは、主としてSEMI M1で指定されている幾何学的特性を持っている研磨シリコンウェーハ局の光散乱乱体(LLS)の検出に使用されるSSISのカタログを正に使用するために開発されたが、適切な基準ウェーハが採用されるという条件で，この作業方法はパターンのない他の半導体表面のLLSの検出に使用されるSSISにも適用できる。

この作業方法は，LSE 値を使用して PSL 球以外の LLS のサイズを決定する方法を定義する意図は全くありません (¶ 3.1を参照)。

この作業方法は、 SEMI M52に記載されている要求条件をサポートする。

付属書1では、限定された生産用途に使用できるシングルポイント較正について説明するが、SEMI M52に記載されている要求条件はサポートされていません。

別書2ではPSLではない標準粒子の分散率を決定する方法について説明しています。

参照されるSEMI規格

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M12 — ウェーハ前面のシリアル英数字マーキングの仕様
SEMI M20 — ウェーハ座標系確立の実践
SEMI M50 — オーバーレイ法による表面走査検査システムの捕捉率と誤計数率を決定するための試験方法
SEMI M52 — 130 nm、90 nm、65 nm、および 45 nm テクノロジー世代のシリコンウェーハ用走査表面検査システムを指定するためのガイド
SEMI M58 — DMA ベースの粒子堆積システムおよびプロセスを評価するための試験方法
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語

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