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M03900 - SEMI M39 - 半絶縁GaAs単結晶の抵抗率及びホール係数を測定しホール移動度を決定する方法
SEMI M39 - 半絶縁GaAs単結晶の抵抗率及びホール係数を測定しホール移動度を決定する方法 Sale priceMember Price: ₩135
Non-Member Price: ₩288,000
M04000 - SEMI M40 - Guide for Measurement of Roughness of Planar Surfaces on Polished Wafers
SEMI M40 - Guide for Measurement of Roughness of Planar Surfaces on Polished Wafers Sale priceMember Price: ₩113
Non-Member Price: ₩241,000
M04000 - SEMI M40 - シリコンウェーハ表面のラフネス測定のガイド
SEMI M40 - シリコンウェーハ表面のラフネス測定のガイド Sale priceMember Price: ₩135
Non-Member Price: ₩288,000
M04100 - SEMI M41 - Specification of Silicon-on-Insulator (SOI) for Power Device/ICs
SEMI M41 - Specification of Silicon-on-Insulator (SOI) for Power Device/ICs Sale priceMember Price: ₩113
Non-Member Price: ₩241,000
M04100 - SEMI M41 - 電源デバイス／IC用シリコン・オン・インシュレーター（SOI）の仕様
SEMI M41 - 電源デバイス／IC用シリコン・オン・インシュレーター（SOI）の仕様 Sale priceMember Price: ₩135
Non-Member Price: ₩288,000
M04200 - SEMI M42 - Specification for Compound Semiconductor Epitaxial Wafers
SEMI M42 - Specification for Compound Semiconductor Epitaxial Wafers Sale priceMember Price: ₩113
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M04200 - SEMI M42 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハの仕様
SEMI M42 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハの仕様 Sale priceMember Price: ₩135
Non-Member Price: ₩288,000
M04300 - SEMI M43 - Guide for Reporting Wafer Nanotopography
SEMI M43 - Guide for Reporting Wafer Nanotopography Sale priceMember Price: ₩113
Non-Member Price: ₩241,000
M04300 - SEMI M43 - ウェーハナノポトグラフィを報告するためのガイド
SEMI M43 - ウェーハナノポトグラフィを報告するためのガイド Sale priceMember Price: ₩135
Non-Member Price: ₩288,000
M04400 - SEMI M44 - Guide to Conversion Factors for Interstitial Oxygen in Silicon
SEMI M44 - Guide to Conversion Factors for Interstitial Oxygen in Silicon Sale priceMember Price: ₩113
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M04400 - SEMI M44 - シリコン中の酸素の換算係数ガイド
SEMI M44 - シリコン中の酸素の換算係数ガイド Sale priceMember Price: ₩135
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M04500 - SEMI M45 - 300 mmウェーハシッピングシステムに関する暫定仕様
SEMI M45 - 300 mmウェーハシッピングシステムに関する暫定仕様 Sale priceMember Price: ₩135
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M04500 - SEMI M45 - Specification for 300 mm Wafer Shipping System
SEMI M45 - Specification for 300 mm Wafer Shipping System Sale priceMember Price: ₩113
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M04600 - SEMI M46 - ECV法によりエピタキシァル層内のキャリア密度プロファイルを測定するための試験方法
SEMI M46 - ECV法によりエピタキシァル層内のキャリア密度プロファイルを測定するための試験方法 Sale priceMember Price: ₩135
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M04600 - SEMI M46 - Test Method for Measuring Carrier Concentrations in Epitaxial Layer Structures by ECV Profiling
SEMI M46 - Test Method for Measuring Carrier Concentrations in Epitaxial Layer Structures by ECV Profiling Sale priceMember Price: ₩113
Non-Member Price: ₩241,000
M04700 - SEMI M47 - Specification for Silicon-on-Insulator (SOI) Wafers for CMOS LSI Applications
SEMI M47 - Specification for Silicon-on-Insulator (SOI) Wafers for CMOS LSI Applications Sale priceMember Price: ₩113
Non-Member Price: ₩241,000
M04800 - SEMI M48 - Guide for Evaluating Chemical-Mechanical Polishing Processes of Films on Unpatterned Silicon Substrates
SEMI M48 - Guide for Evaluating Chemical-Mechanical Polishing Processes of Films on Unpatterned Silicon Substrates Sale priceMember Price: ₩113
Non-Member Price: ₩241,000
M04900 - SEMI M49 - 130 nmから65 nmへの技術世代のシリコンウェーハ用ジオメトリ測定システム規定のためのガイド
SEMI M49 - 130 nmから65 nmへの技術世代のシリコンウェーハ用ジオメトリ測定システム規定のためのガイド Sale priceMember Price: ₩135
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M04900 - SEMI M49 - Guide for Specifying Geometry Measurement Systems for Silicon Wafers for the 130 nm to 16 nm Technology Generations
SEMI M49 - Guide for Specifying Geometry Measurement Systems for Silicon Wafers for the 130 nm to 16 nm Technology Generations Sale priceMember Price: ₩113
Non-Member Price: ₩241,000
M05000 - SEMI M50 - Test Method for Determining Capture Rate and False Count Rate for Surface Scanning Inspection Systems by the Overlay Method
SEMI M50 - Test Method for Determining Capture Rate and False Count Rate for Surface Scanning Inspection Systems by the Overlay Method Sale priceMember Price: ₩113
Non-Member Price: ₩241,000
M05000 - SEMI M50 - オーバーレイ法による走査型表面検査システム用捕獲率および偽計数率を決定するための試験方法
SEMI M50 - オーバーレイ法による走査型表面検査システム用捕獲率および偽計数率を決定するための試験方法 Sale priceMember Price: ₩135
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M05100 - SEMI M51 - Test Method for Characterizing Silicon Wafer by Gate Oxide Integrity - SEMI Dev 2
SEMI M51 - Test Method for Characterizing Silicon Wafer by Gate Oxide Integrity Sale priceMember Price: ₩113
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M05100 - SEMI M51 - シリコンウェーハ評価のためのSiO2の即時絶縁破壊特性（TZDB）の試験方法
SEMI M51 - シリコンウェーハ評価のためのSiO2の即時絶縁破壊特性（TZDB）の試験方法 Sale priceMember Price: ₩135
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M05200 - SEMI M52 - 130 nm，90nm，65nmおよび45nm技術世代シリコンウェーハ用走査型表面検査装置仕様のためのガイド
SEMI M52 - 130 nm，90nm，65nmおよび45nm技術世代シリコンウェーハ用走査型表面検査装置仕様のためのガイド Sale priceMember Price: ₩135
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