SEMI 3D8 - Guide for Describing Silicon Wafers for Use as 300 mm Carri – Page 35

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P01200 - SEMI P12 - 誘導結合プラズマ発光分光法（ICP）によるポジティブ・フォトレジスト中の鉄，亜鉛，カルシウム，マグネシウム，銅，ホウ素，アルミニウム，クロム，マンガン，及びニッケルの測定

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F07100 - SEMI F71 - ガス供給システムの温度サイクル試験方法

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¥49,500 JPY

¥38,100 JPY

M03200 - SEMI M32 - Guide to Statistical Specifications

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G08900 - SEMI G89 - リードフレームのストリップ寸法の規格

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P02100 - SEMI P21 - マスク描画装置の精度表示のガイドライン

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MF172400 - SEMI MF1724 - Test Method for Measuring Surface Metal Contamination of Polycrystalline Silicon by Acid Extraction-Atomic Absorption Spectroscopy

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C00358 - SEMI C3.58 - 八フッ化シクロブタン（C4F8），電子グレード，シリンダ充填，品質99.999%の仕様

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M01000 - SEMI M10 - ガリウムヒ素ウェーハに見られる構造及び特徴の確認のための標準名称

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D03000 - SEMI D30 - FPDカラーフィルタの耐光性試験方法

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P00100 - SEMI P1 - Specification for Hard Surface Photomask Substrates

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M06200 - SEMI M62 - シリコンエピタキシャルウェーハの仕様

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P01800 - SEMI P18 - Specification for Overlay Capabilities of Wafer Steppers

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M00100 - SEMI M1 - 鏡面単結晶シリコンウェーハの仕様

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G06400 - SEMI G64 - 全面めっきIC用リードフレーム（金，銀，銅，ニッケル，パラジウム/ニッケル，およびパラジウム）の仕様

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P01600 - SEMI P16 - Determination of Tin in Positive Photoresist Metal Ion Free (MIF) Developers by Graphite Furnace Atomic Absorption Spectroscopy

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