SEMI 3D8 - Guide for Describing Silicon Wafers for Use as 300 mm Carri – Page 31

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C00357 - SEMI C3.57 - シリンダ中の電子的グレード二酸化炭素，CO2の仕様

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F06200 - SEMI F62 - 周囲およびガス温度の影響からマスフローコントローラ性能特性を決定する試験方法

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M01500 - SEMI M15 - Polished Wafer Defect Limits Table for Semi-Insulating Gallium Arsenide Wafers

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M07300 - SEMI M73 - 測定したウェーハエッジプロファイルから直接的関連性ある特性を抽出するテスト方法

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MS00900 - SEMI MS9 - Specification for High Density Permanent Connections Between Microfluidic Devices

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¥49,500 JPY

¥31,900 JPY

P03400 - SEMI P34 - 230mm方形フォトマスク基板の仕様

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F01500 - SEMI F15 - 筐体の試験方法（六フッ化硫黄のトレーサガス）のSEMI S6への移行

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M05000 - SEMI M50 - オーバーレイ法による走査型表面検査システム用捕獲率および偽計数率を決定するための試験方法

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D02200 - SEMI D22 - 平面顯示螢幕(FPD)彩色濾光片總成顏色透光度計算之測試法

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M01200 - SEMI M12 - ウェーハ表面の連続英数字マーキングの仕様

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G09400 - SEMI G94 - 300mmウェーハ用コインスタック型テープフレーム出荷容器の仕様

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G06800 - SEMI G68 - 空気環境における半導体パッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗測定の試験方法

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M05200 - SEMI M52 - 130 nm，90nm，65nmおよび45nm技術世代シリコンウェーハ用走査型表面検査装置仕様のためのガイド

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P02800 - SEMI P28 - 集積回路製造用オーバーレイ計測テストパターン

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P04600 - SEMI P46 - Specification for Critical Dimension (CD) Measurement Information Data on Photomask by XML

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