SEMI 3D8 - Guide for Describing Silicon Wafers for Use as 300 mm Carrier Wafers in a 3DS-IC Temporary Bond-Debond (TBDB) Process

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E18500 - SEMI E185 - Specification for 300 mm Tape Frame FOUP
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G03600 - SEMI G36 - Specification for Dimensions and Tolerances Used to Manufacture Plastic Molded High Density Tab Quad Semiconductor Package Tooling
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PV09300 - SEMI PV93 - Test Method for Accelerated Cell Level Testing for Light And Elevated Temperature Induced Degradation (LeTID) Susceptibility of Solar Cells
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F07700 - SEMI F77 - 腐食性のガスシステムに使用される合金表面の電気化学的臨界孔食温度のテスト方法
SEMI F77 - 腐食性のガスシステムに使用される合金表面の電気化学的臨界孔食温度のテスト方法 Sale priceMember Price: $135.00
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P02000 - SEMI P20 - EBレジストパラメータのカタログ公表のガイドライン（提案）
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P00300 - SEMI P3 - Specification for Photoresist/E-Beam Resist for Hard Surface Photoplates
SEMI P3 - Specification for Photoresist/E-Beam Resist for Hard Surface Photoplates Sale priceMember Price: $113.00
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G04400 - SEMI G44 - Specification for Lead Finishes for Glass to Metal Seal Ceramic Packages (Active Devices Only)
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P01100 - SEMI P11 - アルカリ現像溶液に対する全規定度の測定のテスト方法
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M03800 - SEMI M38 - 鏡面リクレイムシリコンウェーハの仕様
SEMI M38 - 鏡面リクレイムシリコンウェーハの仕様 Sale priceMember Price: $135.00
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M07600 - SEMI M76 - Specification for Developmental 450 mm Diameter Polished Single Crystal Silicon Wafers
SEMI M76 - Specification for Developmental 450 mm Diameter Polished Single Crystal Silicon Wafers Regular price$300.00 USD Sale price$193.00 USD
M05600 - SEMI M56 - 計量装置の測定変動と偏りに起因する費用成分の作業法
SEMI M56 - 計量装置の測定変動と偏りに起因する費用成分の作業法 Sale priceMember Price: $135.00
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M02300 - SEMI M23 - 鏡面単結晶インジウムリンウェーハの仕様
SEMI M23 - 鏡面単結晶インジウムリンウェーハの仕様 Sale priceMember Price: $135.00
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P01300 - SEMI P13 - 原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中におけるナトリウムとカリウムの測定
SEMI P13 - 原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中におけるナトリウムとカリウムの測定 Sale priceMember Price: $135.00
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G06900 - SEMI G69 - リードフレームとモールディングコンパウンド間の接着強度の測定の試験方法
SEMI G69 - リードフレームとモールディングコンパウンド間の接着強度の測定の試験方法 Sale priceMember Price: $135.00
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M07900 - SEMI M79 - 太陽電池用円盤状100 mm鏡面研磨単結晶ゲルマニウムウェーハの仕様
SEMI M79 - 太陽電池用円盤状100 mm鏡面研磨単結晶ゲルマニウムウェーハの仕様 Sale priceMember Price: $135.00
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